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BC競猜什么是MOCVDLED外延片生長技術

  • 發布時間:2021-12-25 14:48   來源:未知
LED外延芯片生長的基本原理是在一塊加熱至適當溫度的襯底基片(主要有藍寶石和SiC、Si),將氣態物質(In、Ga、Al、P)有控制地輸送到襯底表面,生長出特定單晶薄膜。
目前LED外延片生長技術主要采用的是有機金屬化學氣象沉積方法(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD),MOCVD外延技術是國內目前剛起步的技術,它是1968年由美國洛克威爾公司提出來的一項制備化合物半導體單品薄膜的新技術。利用該技術制造的MOCVD設備集精密機械、半導體材料、真空電子、流體力學、光學、化學、計算機科學為一體,是一種自動化程度高、價格昂貴、技術集成度高的尖端光電子專用設備,主要用于GaN系半導體材料的外延生長和藍色、綠色或紫外發光二極管芯片的制造,也是光電子行業最有發展前途的專用設備之一。
MOCVD具有以下優點:
(1)      用來生長化合物晶體的各組份和摻雜劑都可以以氣態方式進入反應室中,可以通過控制各種氣體的流量來控制外延層的組分、導電類型、載流子濃度、厚度等特性。
(2)      因有抽氣裝置,故反應室中氣體流速快。對于異質外延時,反應氣體切換很快,可以得到陡峭的界面。
(3)      外延發生在加熱的襯底的表面,通過監控襯底的溫度可以控制反應過程。
(4)      在一定條件下,外延層的生長速度與金屬有機源的供應量成正比。
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