BC競猜什么是LED碳化硅襯底

采用碳化硅材料作為襯底的LED芯片電極是L型電極，電流是縱向流動的。采用這種襯底制作的器件的導電和導熱性能都非常好，有利于做成面積較大的大功率器件。
與以Si和GaAs為代表的傳統半導體材料相比，碳化硅（SiC）半導體在工作溫度、抗輻射、耐高擊穿電壓性能方面有很大優勢。SiC作為目前發展最成熟的寬帶隙半導體材料，具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速度和高鍵合能等優點，其優異的性能可以滿足現代電子技術對高溫、高頻、高功率、高壓及抗輻射的新要求，因而是半導體材料領域中最有前景的材料之一。由于SiC與GaN的晶格和熱膨脹相匹配，所以它也成為制造高亮度GaN發光和激光二極管的理想襯底材料。
碳化硅襯底的導熱性能比藍寶石襯底高出10倍以上。藍寶石本身是熱的不良導體，并且在制造器件時底部需要使用銀膠固晶，這種銀膠的傳熱性能也很差。使用碳化硅襯底的芯片電極為L型，兩個電極分布在器件的表面和底部，所產生的熱量可以通過電極直接導出；同時這種襯底不需要電流擴散層，因此光不會被電流擴散層的材料吸收，這樣又提高了出光效率。但是相對于藍寶石襯底而言，碳化硅制造成本較高，實現其商業化還需要降低相應的成本。