位置: 首頁 > BC競猜知識庫 >

BC競猜LED硅襯底有什么優點

  • 發布時間:2021-12-25 14:48   來源:未知
LED芯片采用硅(Si)作為襯底,具有晶體質量高,尺寸大,易加工,導電性、導熱性和熱穩定性較好等很多優點,但是其最大的優點主要在于LED的制造成本將大大降低。這是因為Si襯底本身的價格比目前使用的藍寶石和SiC襯底便宜很多,而且可以使用比藍寶石和SiC襯底的尺寸更大的襯底,而且可以使用比藍寶石和SiC襯底的尺寸更大的襯底以提高MOCVD的利用率,從而提高管芯出光率。
硅襯底的芯片電極可采用兩種接觸方式,分別是L接觸(水平接觸)和V接觸(垂直接觸)。通過這兩種接觸方式,LED芯片內部的電流可以橫向流動,也可以縱向流動。由于電流可以縱向流動,所以增大了LED的發光面積,從而提高了LED的發光效率。又因為硅是熱的良導體,所以器件的導熱性能可以明顯改善,從而延長了器件的壽命。由于目前GaAs工業正從4英寸過渡到6英寸,故淘汰下來的4英寸工藝線正好可以用在硅襯底的GaN LED生產上。據日本Sanken電氣公司的估計,使用硅襯底制作藍光GaN LED的制造成本將比藍寶石襯底和SiC襯底低90%。
與藍寶石和SiC相比,在Si襯底上生長GaN更為困難,這是因為Si和GaN兩者之間的熱失配和晶格失配更大。Si與GaN的熱膨脹系數差別將導致GaN膜出現龜裂,晶格常數差會在GaN外延層中造成高的位錯密度。GaN LED還可能因為Si與GaN之間有0.5V的異質勢壘而使開啟電壓升高、晶體完整性變差,從而造成P-型摻雜效率低,串聯電阻增大。使用Si襯底的另一個不利之處是,硅吸收可見光會降低LED的外量子效率。
目前,硅襯底技術依然處于研發階段,還沒有實現產業化。
為了在Si上面制造出性能好的GaN LED,首先要解決的是如何在Si上生長出高質量的無龜裂的GaN外延層的問題,F在主要的生長方法是MOCVD或是MBE。無論采用哪種生長方法在Si上生長GaN外延層,均需要使用緩沖層技術。目前已經報道了多種緩沖層技術,其中包括AIN/3C-SiC(淀積的或轉化的SiC膜),GaAs,AlAs,ZnO,LiGaO2,或是復合緩沖層,如AlN/3C-SiC,AlN/GaN/AlN等。AlN是目前較為普遍使用的緩沖層技術之一。據報道,Liaw等人采用轉化的SiC膜加氮化鋁復合緩沖層技術已經可以在4英寸的Si(111)襯底上生長出1.5mm厚的無龜裂的GaN的外延層來了。
日本三墾(Sanken)電氣公司與名古屋工業大學聯合開發出用AlN/GaN緩沖層緩解因熱膨脹系數不同而產生的熱應力,進而控制了龜裂的發生。值得指出的是三墾電氣在生長緩沖層前,首先對硅襯底進行了處理,使硅表面上覆以氫(H),這樣就得到了不含氧的,適于“低溫緩沖層”生長所需要的清潔平坦的硅表面,并且使發光層內的晶體缺陷密度減少到109個/cm2。
為了降低外延層中的位錯密度,選擇外延生長工藝也被應用Si生長GaN中來,包括橫向選擇外延和懸重外延生長。
0
中国农村夫妇做人爱视频_蜜芽.768.mon二区忘忧草_24小时更新视频在线观看免费_无限资源西瓜视频
武宣县| 永昌县| 泊头市| 嘉黎县| 项城市| 通河县| 沈丘县| 清原| 乌拉特后旗| 同德县| 宜兰县| 峨边| 察雅县| 三穗县| 永宁县| 洛扎县| 遵义县| 北海市| 龙州县| 东乡县| 连城县| 玉田县| 福泉市| 繁昌县| 康乐县| 当阳市| 门源| 灌南县| 和静县| 安溪县| 高雄县| 云安县| 东至县| 贵阳市| 城固县| 迁安市| 巴彦淖尔市| 沁阳市| 双峰县| 临清市| 厦门市| http://444 http://444 http://444 http://444 http://444 http://444